三星一体式台积电开始量产3纳米芯片

韩国巨头三星电子已成为第一家开始批量生产3纳米芯片的公司，击败了最先进的代工芯片制造商台湾半导体制造公司(TSMC)。

三星表示，该公司正在使用栅极全能(GAA)晶体管架构，与5纳米芯片相比，该架构允许此类第一代3纳米芯片的表面积减小16%，功耗降低45%，性能提高23%。这家韩国公司在一份声明中表示，第二代3纳米工艺将功耗降低到50%。

“三星发展迅速，因为我们继续在将下一代技术应用于制造业方面表现出领导地位，”三星总裁兼铸造业务负责人Choi Si-young在一份声明中表示。

该技术可能会为三星带来更多寻求创新和强大半导体的客户，以构建更快，更高效的技术产品。

据TechCrunch报道，该公司正在生产第一代3纳米芯片，并计划于2023年开始生产第二代3纳米工艺。

三星长期以来一直在与苹果的芯片制造合作伙伴台积电争夺霸主地位，台积电在6月份宣布将在今年下半年开始大规模生产3纳米芯片。这家台湾公司是全球最大的合同芯片制造商，计划到2025年生产2纳米芯片。

另一方面，全球最大的内存芯片制造商和第二大代工厂制造商三星表示，其2纳米工艺节点处于早期开发阶段。它还计划在2025年开始量产。